Faculty.ro - acces liber la cunoastere - carti, cursuri, seminarii & student fun
Reclama
Dumitru D. SANDU - Dispozitive si circuite electronice

Autor: Dumitru D. SANDU
Titlu: Dispozitive si circuite electronice
Tip: carte
Editura Didactica si Pedagogica, Bucuresti, 1975

Cuprins

PARTEA I-a. DISPOZITIVE ELECTRONICE

Capitolul I. Purtători de sarcină în solide. Procese de conducţie       13
I. 1. Introducere               13
I. 2. Modelul benzilor energetice           15
I. 2.1. Modelul benzilor energetice la metale       15
I. 2.2. Modelul benzilor energetice la semiconductorii intrinseci   16
I. 2.3. Modelul benzilor energetice la semiconductorii cu impurităţi  18
I. 3. Concentraţia şi distribuţia energetică a purtătorilor de sarcină In solide. Nivel Fermi                  20
I. 3.1. Consideraţii asupra funcţiei de distribuţie şi a densităţii de stări energetice         20
I. 3.2. Electroni în spaţiul liber          22
I. 3.3. Electroni in metale           23
I. 3.4. Electroni şi goluri in semiconductori intrinseci       24
I. 3.5. Electroni şi goluri în semiconductori cu impurităţi  26
I. 4. Ecuaţiile de bază ale electronicii semiconductorilor      28
I. 4.1. Ecuaţii pentru densităţile de curent     28
I. 4.2. Ecuaţiile de continuitate          30

Capitolul II. Diode semiconductoare          34

II. 1. Introducere             34
II. 2. Joncţiunea PN               35
II. 2.1. Procese fizice la joncţiunea PN        35
II. 2.2. Modelul benzilor energetice. Potenţial de difuzie      36
II. 2.3. Lărgimea regiunii de trecere          37
II. 2.4. Capacitatea de barieră a joncţiunii PN     39
II. 3. Polarizarea joncţiunii PN. Ecuaţia diodei ideale       40
II. 3.1. Polarizarea directă. Ecuaţia diodei ideale     40
II. 3.2. Polarizarea inversă a joncţiunii PN        43
II. 3.3. Caracteristica voltamperică statică         45
II. 3.4. Capacitatea de difuzie a joncţiunii PN       46
II. 4. Tipuri de diode               47
II. 4.1. Joncţiuni PN gradate           47
II. 4.2. Joncţiuni PIN              48
II. 4.3. Diode varactor        
II. 4.4. Fotodiode   
II. 4.5. Diode tunel (Esaki)  
II. 4.6. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)

Capitolul III. Tranzistor! bipolari

III. 1. Introducere       
III. 2. Funcţionarea tranzistorilor bipolari. Expresiile curenţilor  
III. 2.1. Procese fizice elementare. Modelul benzilor energetice
III. 2.2. Expresiile curenţilor     
III. 2.3. Coeficienţii tranzistorului bipolar
III. 2.4. Ecuaţiile Ebers-Moll    
III. 3. Caracteristicile statice ale tranzistorilor bipolari
III. 3.1. Caracteristici statice In conexiune BC
III. 3.2. Caracteristici statice in conexiune E
III. 3.3. Străpungerea joncţiunii colectar-bază
III. 4. Parametrii naturali şi schema echivalentă naturală
III. 4.1. Parametrii naturali ai tranzistorului bipolar
III. 4.2. Schema echivalentă naturală in conexiune BC
III. 5. Tranzistorul drift (cu cîmp intern) 
III. 5.1. Structură şi procese fizice
III. 5.2. Teorie elementară   
III. 6. Tranzistori unijoncţiune (TUJ)  
III. 7. Tiristori    
III. 7.1. Construcţie, funcţionare, caracteristici statice
III. 7.2. Variante constructive (triacuri) 

Capitolul IV. Tranzistori cu efect de cîmp    
1.    Introducere       
2.    Tranzistori TECJ    
IV. 2.1. Construcţie şi funcţionare   
IV. 2.2. Lărgimea regiunii de trecere. Tensiunea de prag  
IV. 2.3. Expresia curentului de drenă    
IV. 2.4. Caracteristici statice ale tranzistorilor. TECJ
IV. 2.5. Parametrii tranzistorilor TECJ   
IV. 3. Tranzistori TECMOS cu canal indus (cu strat de inversiune) 
IV. 3.1. Construcţie şi funcţionare  
IV. 3.2. Procese fizice în structura MIS   
IV. 3.3. Expresia curentului de drenă    
IV. 3.4. Caracteristici statice ale tranzistorului TECMOS cu canal indus.
IV. 3.5. Parametrii tranzistorilor TECMOS cu canal indus 
IV. 4. Tranzistori TECMOS cu canal iniţial (cu strat sărăcit)
IV. 4.1. Construcţie şi funcţionare  
IV. 4.2. Caracteristici statice ale tranzistorului TECMOS cu canal iniţial.
IV. 5. Tranzistori cu straturi subţiri (TSS)  
IV. 5.1. Construcţie şi funcţionare   
IV. 5.2. Expresia curentului de drenă    
IV. 6. Consideraţii cu privire la unele regimuri limită ale tranzistorilor TEC

Capitolul V. Tehnologii şi metode de fabriearc a dispozitivelor semiconductoare. Circuite integrate      

V. 1. Introducere            114
V. 2. Tehnologii de bază. Realizarea joncţiunilor PN         114
V. 2.1. Metode de purificare a cristalelor semiconductoare   114
V. 2.2. Metode de realizare a joncţiunilor PN         115
V. 3. Metode de fabricare a tranzistorilor bipolari    117
V. 4. Metode de fabricare a tranzistorilor cu efect de cimp       120
V. 5. Circuite integrate. Consideraţii generale, definiţii, clasificări     122
V. 5.1. Consideraţii generale           122
V. 5.2. Clasificări, definiţii         124
V. 6. Circuite integrate bidimensionale (in straturi subţiri)      125
V. 7. Circuite integrate monolitice (scheme solide)      128
V. 8. Tipuri de circuite integrate         130
V. 8.1. Circuite integrate liniare          130
V. 8.2. Circuite integrate digitale           132

Capitolul VI. Tuburi electronice           132

VI. 1. Introducere               132
VI. 2. Consideraţii asupra emisiei electronice        133
VI. 2.1. Emisia termoelectronică          133
VI. 2.2. Emisia fotoeleetronică       135
VI. 2.3. Emisia electronică secundară          138
VI. 3. Dioda cu vid              140
VI. 4. Trioda                142
VI. 5. Tetroda şi pentoda           144
VI. 6. Tuburi cu gaz (ionice)            148
VI. 6.1. Gazotronul       148
VI. 6.2. Tiratronul             140
VI. 6.3. Stabilovoltul              151
VI. 7. Tuburi catodice              151
VI. 7.1. Sisteme de focalizare           152
VI. 7.2. Sisteme de deviaţie (deflexie)     155
VI. 7.3. Ecranul         157
VI. 8. Tuburi fotoelectronicc            158
VI. 8.1. Tuburi fotoelectronice cu vid      158
VI. 8.2. Tuburi fotoelectronice cu gaz          160
VI. 8.3. Multiplicatori fotoelectronici           160
Bibliografie, cap. I — VI        161

PARTEA a Il-a. PROBLEME GENERALE DE ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRICE LINIARE

Capitolul VII. Metode de ealcul a cireuitelor electrice în regim permanent     163

VII. 1. Introducere         163
VII. 2. Notarea mărimilor electrice       164
VII. 3. Noţiuni cu privire la reprezentarea fazorialâ a mărimilor electrice alternative    166
VII. 4. Metoda curenţilor pe ochiuri (de contur)        171
VII. 5. Metoda tensiunilor intre noduri          174
VII. 6. Teoreme de calcul a circuitelor (reţelelor) electrice      176
VII. 6.1. Principiul suprapunerii            176
VII. 6.2. Teorema lui Thevenin    178
VII. 6.3. Teorema lui Norton          179
VII. 6.4. Teorema reciprocităţii            180
VII. 6.5. Teorema transferului maxim de putere     180

Capitolul VIII. Răspunsul circuitelor la semnale          181

VIII. 1. Introducere              181
VIII. 2. Semnale periodice               182
VIII. 3. Semnale de tip impuls      184
VIII. 3.1. Transformata Fourier            184
VIII. 3.2. Spectrele citorva semnale impulsulare       186
VIII. 4. Transformata Laplace         188
VIII. 4.1. Formule pentru transformările Laplace      188
VIII. 4.2. Teoreme ale transformării Laplace       190
VIII. 4.3. Imaginile citorva funcţii des întilnite         192
VIII. 5. Determinarea răspunsului circuitelor prin metoda armonică (spectrală)  193
VIII. 6. Determinarea răspunsului circuitelor prin metoda operaţională   194
VIII. 6.1. Etapele metodei operaţionale      194
VIII. 6.2. Exemple             196

Capitolul IX. Circuite oscilante. Transformatorul de AF      198

IX. 1. Introducere               198
IX. 2. Circuitul oscilant serie în regim permanent (forţat)       198
IX. 2.1. Rezonanţă. Factor de calitatc          198
IX. 2.2. Curbă universală de rezonanţă. Bandă de trecere şi selectivitate     200
IX. 2.3. Coeficient de transfer          203
IX. 3. Circuitul oscilant paralel în regim permanent       204
IX. 3.1. Relaţii de dualitate            204
IX. 3.2. Frecvenţa de rezonanţă. Factor de calitate       205
IX. 3.3. Curba universală de rezonanţă. Bandă de trecere  207
IX. 3.4. Circuite oscilante paralele cu priză        208
IX. 4. Circuite oscilante cuplate       209
IX. 4.1. Coeficient de cuplaj, circuit echivalent        209
IX. 4.2. Frecvenţe de rezonanţă           211
IX. 4.3. Curbe de rezonanţă. Bandă de trecere       212
IX. 5. Transformatorul de audiofrecvenţă (AF)         215
IX. 5.1. Construcţie şi funcţionare         215
IX. 5.2. Transformatorul ideal           217
IX. 5.3. Scheme echivalente ale transformatorului real     218

Capitolul X. Cuadripoli. Filtre electrice        220

X. 1. Introducere       220
X. 2. Sisteme de parametri ai cuadripolilor         221
X. 3. Conectarea cuadripolilor             224
X. 4. Tipuri fundamentale de cuadripoli           226
X. 5. Parametrii caracteristici ai cuadripolului   228
X. 6. Conectarea în lanţ a cuadripolilor       230
X. 7. Filtre electrice                232
X. 7.1. Parametrii filtrelor electrice         232
X. 7.2. Tipuri de filtre             235
Bibliografie, cap. VII-X        241

PARTEA a IlI-a. CIRCUITE ELECTRONICE

Capitolul XI. Redresarea. Filtre de netezire           242
XI. 1. Introducere               242
XI. 2. Redresori monoalternanţă        242
XI. 2.1. Scheme echivalente pentru diode      242
XI. 2.2. Funcţionarea redresorului monoalternanţă       243
XI. 3. Redresori bialternanţă            246
Xl. 3.1. Redresori bialternanţă cu priză mediană la transformator    246
XI. 3.2. Redresori bialternanţă în punte       247
XI. 4. Filtre de netezire            248
XI. 4.1. Filtre cu intrare pe capacitor          249
XI. 4.2. Filtre cu intrare pe bobină (şoc)         252
XI. 5. Multiplicarea tensiunii redresate           254
XI. 6. Redresori comandaţi echipaţi cu tiristori        257

Capitolul XII. Dispozitivele electronice ca elemente de elrenit     259

XII. 1. Introducere             259
XII. 2. Dioda în circuit. Dreaptă de sarcină, punct de funcţionare      260
XII. 3. Polarizarea tranzistorilor TEC şi a tuburilor electronice   261
XII. 3.1. Tranzistori TECJ şi TECMOS cu canal iniţial     261
XII. 3.2. Tuburi electronice             266
XII. 3.3. Tranzistori TECMOS cu canal indus        267
XII. 4. Polarizarea tranzistorilor bipolari. Stabilizarea termică     268
XII. 4.1. Circuite de polarizare           268
XII. 4.2. Stabilizarea termică a punctului static de funcţionare   270
XII. 5. Diagramele tensiunilor şi curenţilor. Caracteristici dinamice     272
XII. 6. Caracteristici dinamice in curent alternativ         276
XII. 7. Bilanţul energetic în amplificatori         278
XII. 8. Clase de funcţionare a amplificatorilor          281
XII. 9. Factori limitanţi în alegerea punctului de funcţionare     283

Capitolul XIII. Circuite echivalente ale dispozitivelor eleetronice   285

XIII. 1. Introducere                285
XIII. 2. Consideraţii generale cu privire la modelele liniare ale dispozitivelor electronice    285
XIII. 2.1. Modele liniare cu parametrii z, y, h       285
XIII. 2.2. Condiţii de măsurare a parametrilor        288
XIII. 3. Modele liniare de joasă frecvenţă          289
XIII. 3.1. Tranzistori cu efect de cîmp şi tuburi electronice    289
XIII. 3.2. Tranzistori bipolari           291
XIII. 3.3. Utilizarea modelelor liniare de joasă frecvenţă pentru analiza unor scheme de amplificatori         293
XIII. 4. Modele liniare la frecvenţe inalte           299
XIII. 4.1. Efecte de frecvenţă în tranzistori TEC şi tuburi electronice   299
XIII. 4.2. Joncţiunea PN la frecvenţe Înalte       302
XIII. 4.3. Comportarea tranzistorilor bipolari la frecvenţe înalte    303

Capitolul XIV. Amplificatori de tensiune (semnal mic)       306

XIV. 1. Introducere            306
XIV. 2. Noţiuni fundamentale cu privire la amplificatori        306
XIV. 2.1. Coeficient de amplificare         306
XIV. 2.2. Distorsiuni              308
XIV. 2.3. Bandă de frecvenţe     309
XIV. 2.4. Gamă dinamică            309
XIV. 2.5. Putere utilă şi randament          310
XIV. 2.6. Criterii de clasificare a amplificatorilor      310
XIV. 3. Amplificatori cu cuplaj RC echipaţi cu tranzistori TEC şi tuburi electronice     311
XIV. 3.1. Schema de principiu şi schema echivalentă a amplificatorului cu tranzistor TECMOS cu cuplaj RC    311
XIV. 3.2. Expresia generală a coeficientului de amplificare în tensiune       312
XIV. 3.3. Efect Miller          314
XIV. 3.4. Caracteristici de frecvenţă     315
XIV. 3.5. Distorsiuni de frecvenţă         317
XIV. 3.6. Diagrame Bode            319
XIV. 3.7. Produsul amplificare X bandă de trecere       320
XIV. 3.8. Consideraţii asupra amplificatorilor RC echipaţi cu tuburi electronice              321
XIV. 4. Amplificatori cu cuplaj RC echipaţi cu tranzistori bipolari      322
XIV. 5. Amplificatori cu mai multe etaje           327
XIV. 6. Amplificatori de tensiune cu cuplaj prin transformator     328
XIV. 7. Amplificatori selectivi de înaltă frecvenţă         332

Capitolul XV. Reacţia negativă             333

XV. 1. Introducere  T      333
XV. 2. Noţiuni de bază. Clasificări      333
XV. 2.1. Conceptul de reacţie          333
XV. 2.2. Tipuri de reacţie negativă         335
XV. 3. Influenţa RN asupra coeficientului de amplificare, benzii de trecere şi distorsiunilor neliniare         337
XV. 3.1. Influenţa RN asupra coeficientului de amplificare    337
XV. 3.2. Influenţa RN asupra benzii de trecere şi a defazajului   339
XV. 3.3. Influenţa RN asupra distorsiunilor neliniare     341
XV. 4. Influenţa RN asupra impedanţelor de intrare şi ieşire       342
XV. 4.1. Influenţa RN asupra impedanţei de intrare       342
XV. 4.2. Influenţa RN asupra impedanţei de ieşire    343
XV. 5. Exemple de scheme cu RN          345
XV. 6. Stabilitatea amplificatorilor cu RN         352
XV. 6.1. Procese fizice              352
XV. 6.2. Criteriul Nyquist de stabilitate a amplificatorilor cu RN   353
XV. 7. Amplificatori operaţionali           356

Capitolul XVI. Oscilatori sinusoidali    î      358

XVI. 1. Introducere               358
XVI. 2. Oscilatori RC                359
XVI. 2.1. Condiţii generale de oscilaţie        359
XVI. 2.2. Oscilatori RC de tip I (cu reţea de defazare)     360
XVI. 2.3. Oscilatori RC de tip II        364
XVI. 3. Oscilatori           368
XVI. 3.1. Oscilatori Armstrong        368
XVI. 3.2. Oscilatori Hartley      372
XVI. 3.3. Oscilatori Colpitts         374
XVI. 3.4. Oscilatori Clapp          376
XVI. 4. Limitarea şi stabilizarea amplitudinii oscilaţiilor    377
XVI. 5. Stabilitatea frecvenţei oscilatorilor        381
XVI. 5.1. Consideraţii generale     381
XVI. 5.2. Oscilatori cu cuarţ       382

Capitolul XVII. Circuite basculante şi circuite logice      386

XVII. 1. Introducere               386
XVII. 2. Procese tranzitorii in circuite liniare de ordin I      386
XVII. 2.1. Generalităţi asupra impulsurilor       386
XVII. 2.2. Procese tranzitorii în circuite de ordin I. Exemple    388
XVII. 3. Dispozitivele electronice în regim de comutare        392
XVII. 3.1. Funcţionarea dispozitivelor electronice în regiunile neliniare    392
XVII. 3.2. Scheme echivalente pentru stările statice     393
XVII. 3.3. Procese de comutare a dispozitivelor electronice     397
XVII. 4. Circuite basculante astabile           404
XVII. 4.1. Multivibrator cu tranzistori bipolari      405
XVII. 4.2. Multivibrator cu tranzistori TEC       408
XVII. 4.3. Variante constructive          411
XVII. 5. Circuite basculante monostabile          413
XVII. 5.1. Monostabil cu tranzistori bipolari        413
XVII. 5.2. Metode de declanşare. Variante         415
XVII. 6. Circuite basculante bistabile            417
XVII. 6.1. Bistabil cu tranzistori bipolari       417
XVII. 6.2. Bistabil cu tranzistori TEC       417
XVII. 6.3. Bistabil Schmitt             419
XVII. 6.4. Variante constructive            421
XVII. 7. Generatorul autoblocat              424
XVII. 8. Circuite basculante cu diode tunel           428
XVII. 9. Circuite logice fundamentale            431
XVII. 9.1. Noţiuni de algebră Boole          432
XVII. 9.2. Circuite logice cu diode şi tranzistori      434
XVII. 9.3. Circuite logice integrate         436

Capitolul XVIII. Modulaţia şl detecţia semnalelor    438

XVIII. 1. Introducere             438
XVIII. 2. Tipuri de modulaţie        438
XVIII. 3. Modulaţia de amplitudine         440
XVIII. 3.1. Relaţii generale. Moduri de reprezentare     440
XVIII. 3.2. Scheme pentru realizarea MA         442
XVIII. 4. Modulaţia unghiulară             451
XVIII. 4.1. Legătura între modulaţia de treevenţă şi modulaţia de fază                451
XVIII. 4.2. Spectrul oscilaţiilor MF         454
XVIII. 4.3. Scheme pentru realizarea MF         457
XVIII. 5. Detecţia semnalelor modulate in amplitudine       459
XVIII. 5.1. Detecţia pătratică          459
XVIII. 5.2. Detecţia liniară (cvasiliniară)         462
XVIII. 5.3. Alegerea elementelor filtrului. Caracteristici de detecţie  464
XVIII. 5.4. Alte tipuri de detectori MA        467
XVIII. 6. Detecţia semnalelor modulate în frecvenţă      469
XVIII. 6.1. Discriminatorul Foster-Seely          469
XVIII. 6.2. Detectorul de raport       471
XVIII. 7. Modulaţia de impulsuri         472
Bibliografie, cap. XI-XVIII         475

Anexa I. Transformările Fourier şi Laplace     476
Anexa II. Stabilitatea sistemelor cu conexiune inversă       479

Download link: Dumitru D. SANDU - Dispozitive si circuite electronice

Categoria: Fizica
Cuvinte cheie:
Adaugat in: Apr 11, 2011
Articole similare
Scop

Scopul acestui portal este de a oferi gratuit cititorilor literatura stiintifica de calitate. Materiale libere de circulatie: carti, articole, studii de specialitate sunt oferite de catre cadrele didactice din invatamantul superior si preuniveristar, cercetatorii atestati.

Cauta
cuvant:
Autentificare
username:
Password:
Contact Us

Loading...